雷射加工裝置

专利摘要:
本發明提供一種雷射加工裝置，即使在複數條加工預定線的節距較小的情況，仍可排列複數個光學元件而沿著複數條加工預定線同時照射雷射光。該雷射加工裝置係具備：雷射振盪器2，係射出雷射光；及第1光學單元41及第2光學單元42。第1光學單元41及第2光學單元42係分別具有：將來自雷射振盪器2的雷射光分歧為複數道雷射光之繞射光學元件52；及使來自繞射光學元件52之複數道雷射光以沿著基板上的1條直線排列之方式進行聚光的透鏡53。而且，連結藉由第1光學單元41而聚光至基板上的複數個光束點之第1直線L1、與連結藉由第2光學單元42而聚光至基板上的複數個光束點之第2直線L2係彼此平行且偏離。
公开号:TW201306982A
申请号:TW101123196
申请日:2012-06-28
公开日:2013-02-16
发明作者:Tsuyoshi Hata；Seiji Shimizu；Takahisa Hayashi
申请人:Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd；
IPC主号:B23K26-00

专利说明:
雷射加工裝置
本發明係關於雷射加工裝置，特別是關於沿著基板上之複數條加工預定線而照射雷射光之雷射加工裝置。
在太陽能電池的製造之中，係沿著複數條線對基板上之薄層照射雷射光，而分割為複數個子電池(subcell)。
而且，經分割之子電池係彼此連接。
在對此種的太陽能電池基板照射雷射光而進行加工之圖案成形(patterning)步驟中，係沿著預定節距(pitch)之多數條加工預定線照射雷射光。
例如在專利文獻1的裝置中，係設置有分別可輸出4道雷射光束之複數個光學單元。而且，藉由使複數個光學單元進行掃描，形成預定節距之複數條刻劃線(scribe)溝。
此外，在專利文獻2中，係組合繞射光學元件(DOE)與f-sin θ透鏡(lens)而構成光學單元。在此，預定節距之多數道雷射光之光束點係照射在基板上。 (專利文獻)
專利文獻1：日本特表2010-509067號公報
專利文獻2：日本特開2001-62578號公報
藉由使用專利文獻1及2所記載之裝置而進行加工，可在短時間加工多數個圖案成形線(patterning line)。
在此，在圖案成形線的數量超過1個光學單元的光束數的情況，係藉由排列配置複數個光學單元，而可同樣地使加工時間縮短。
但是，在複數條圖案成形線的節距(pitch)小的情況，無法藉由複數個光學單元以等節距同時加工。亦即，因光學單元通常具有內藏有透鏡等光學元件的鏡筒，故即使最大限度地使相鄰之鏡筒接近，在形成於一方之鏡筒內部的光束點、及形成於另一方之鏡筒內部的光束點之間，仍會隔開彼此之鏡筒的厚度量之距離。因此，在圖案成形線的節距小的情況，相鄰之光學單元間的圖案成形線之節距會比其他之圖案成形線之節距更大。
此外，太陽能電池的圖案形成，係藉由將經固定之光學系統與平台(stage)移動予以組合之裝置、或使用電流掃描器(Galvano Scanner)等掃描光學系統之裝置來執行。
在如同以上之裝置構成中，圖案形成線的節距精確度，係由平台之移動節距精確度及掃描器之定位精確度來決定，一般而言，係為數μm至數十μm。此外，必須藉由伺服馬達(servo motor)定位每個圖案形成線。因此，在加工多數個圖案形成線的情況，加工的生產間隔時間(tact time)會變長，且只要節距的要求精確度變高，則會需要更長的時間來做定位用。
本發明之課題，係在於即使在複數條加工預定線的節距較小的情況，亦可將複數個光學單元並排而沿著複數條加工預定線同時地照射雷射光。
本發明之另外的課題，係為提供一種能在短時間精確度良好地調整複數條加工線之節距的雷射加工裝置。
第1發明之雷射加工裝置係為沿著基板上之複數條加工預定線照射雷射光之裝置，係具備：雷射光射出裝置，係射出雷射光；及第1光學單元和第2光學單元。第1光學單元和第2光學單元分別具有：繞射光學元件，係將來自雷射光射出裝置的雷射光分歧為複數道雷射光；及透鏡，係使來自繞射光學元件的複數道雷射光以沿著基板上的1條直線排列的方式進行聚光。而且，連結藉由第1光學單元而聚光至基板上的複數個光束點之第1直線與連結藉由第2光學單元而聚光至基板上的複數個光束點之第2直線係彼此平行且偏離。
在此，第1光學單元與第2光學單元係在多數個光束點所排列之方向以高低差配置。因此，複數條加工預定線之節距較小，且即使在各光學單元的鏡筒等框體的厚度較厚的情況，仍可藉由複數個光學單元而沿著複數條加工預定線同時照射雷射光。
第2發明之雷射加工裝置，係在第1發明之裝置中，連結第1光學單元之透鏡的中心與第2光學單元之透鏡的中心之直線，係相對於第1及第2直線傾斜。
第3發明之雷射加工裝置，係在第1或第2發明之裝置中，第1光學單元及第2光學單元具有相同直徑之圓筒狀的鏡筒。而且，第1光學單元及第2光學單元之中心間距離係為鏡筒之直徑以上。
此時，可避免2個光學單元之干擾，而沿著小節距的複數條加工預定線照射雷射光。
第4發明之雷射加工裝置，係在第1發明之裝置中，第1光學單元及第2光學單元之中心間距離，係比沿著第1直線及第2直線之第1光學單元的中心與第2光學單元的中心之間的距離還長。
第5發明之雷射加工裝置，係在第1發明之裝置中，第1光學單元進一步具有將來自雷射光射出裝置的雷射光分歧之分光器。而且，第2光學單元進一步具有將來自分光器的雷射光反射而導向第2光學系統之繞射光學元件的反射鏡。
在此，能以簡單的構成而沿著複數條加工預定線照射雷射光。
第6發明之雷射加工裝置，係為沿著基板上之複數條加工預定線照射雷射光之裝置，係具備：雷射光射出裝置，係射出雷射光；第1光學單元及第2光學單元；第1旋轉驅動機構及第2旋轉驅動機構；以及第1移動機構及第2移動機構。第1光學單元及第2光學單元係分別具有：繞射光學元件，係將來自雷射光射出裝置之雷射光分歧為複數道雷射光；及透鏡，係將來自繞射光學元件的複數道雷射光以沿著基板上的1條直線排列之方式進行聚光。第1旋轉驅動機構及第2旋轉驅動機構，係使第1光學單元之繞射光學元件及第2光學單元之繞射光學元件之各者繞著雷射光之光軸旋轉。第1移動機構及第2移動機構係使第1光學單元及第2光學單元之至少一方朝與加工預定線正交之方向移動。
在此，繞射光學元件係因為製造技術上之特徵而保障高精確度。因此，使包含該繞射光學元件之各光學單元藉由旋轉驅動機構旋轉，藉以能精確度良好地調整利用各光學單元形成於基板上之複數個光束點的節距。此外，在使各光學單元旋轉以調整光束點的節距時，2個光學單元間的節距會變化。因此，藉由移動機構使各光學單元朝與加工預定線正交之方向移動，來調整2個光學單元間之節距。
藉由以上之構成，能容易地以高精確度調整複數個光束點的節距。
第7發明之雷射加工裝置，係於第6發明之裝置中，第1光學單元及第2光學單元係以連結藉由第1光學單元而聚光至基板上的複數個光束點之第1直線與連結藉由第2光學單元而聚光至基板上的複數個光束點之第2直線偏離的方式配置。
在此，光學單元因具有作為框體之鏡筒，故即使令相鄰之鏡筒最大限度地接近，在形成於一方之鏡筒內部的光束點、及形成於另一方之鏡筒內部的光束點之間，仍會隔開彼此之鏡筒之厚度量的距離。因此，在圖案成形線的節距較小的情況，相鄰之光學單元間的圖案成形線的節距會比其他的圖案成形線之節距大，而無法成為等節距。
但是，在本發明中，因2個光學單元以高低差配置，故複數條加工預定線之節距較小，且即使在各光學單元的鏡筒等框體之厚度較厚的情況，仍可藉由複數個光學單元而沿著複數條等節距的加工預定線同時照射雷射光。
另一方面，在第1光學單元與第2光學單元配置於相同直線上的情況，藉由使兩光學單元繞著1個旋轉中心旋轉，可進行光束點之節距調整。但是，如同本發明在2個光學單元以高低差配置之情況，當使兩光學單元繞著1個旋轉中心旋轉時，兩光學單元之間的節距會變化。
因此，使2個光學單元之至少一方藉由移動機構移動，來調整2個光學單元間的節距。
第8發明之雷射加工裝置，係在第7發明中，連結第1光學單元之透鏡的中心與第2光學單元之透鏡的中心之直線，係相對於與加工預定線正交之直線傾斜。
第9發明之雷射加工裝置，係在第7或第8發明之裝置中，第1光學單元及第2光學單元之中心間距離，係比沿著與加工預定線正交之直線的第1光學單元的中心與第2光學單元的中心之間的距離還長。
第10發明之雷射加工裝置，係在第6發明之裝置中，第1光學單元進一步具有將來自雷射光射出裝置的雷射光分歧之分光器。而且，第2光學單元進一步具有將來自分光器的雷射光反射而導向第2光學系統之繞射光學元件的反射鏡。
在此，能以簡單的構成而沿著複數條加工預定線照射雷射光。
如上所述，在本發明中，即使在複數條加工預定線之節距較小的情況，仍可排列複數個光學單元而沿著複數條加工預定線同時照射雷射光，而可縮短加工時間。
此外，在本發明中，可在短時間精確度良好地調整複數條加工線之節距。[第1實施形態]
第1圖係為本發明之一實施形態之雷射加工裝置的示意圖。雷射加工裝置1係具備：雷射振盪器2，係射出雷射光；透鏡/鏡片(mirror)機構3；第1至第4光學單元41至44；XY平台5，係載置太陽能電池面板用之基板G。在此，係以沿著基板G之複數條加工預定線掃描雷射光的光束點，並在基板G上形成複數個子電池之情況的加工為例，來進行說明。 [透鏡/鏡片機構]
透鏡/鏡片機構3係具有使雷射光成為平行光之準直透鏡(collimate lens)3a、反射鏡3b、及分光器(beam splitter)3c。 [光學單元]
第1光學單元41係具有反射鏡51、繞射光學元件52、及f-sin θ透鏡53。反射鏡51係將來自第2光學單元42的雷射光反射至繞射光學元件52。繞射光學元件52係將雷射光分歧為複數道雷射光。f-sin θ透鏡53係將複數道雷射光之各者集光至XY平台5上的基板G。如第2圖所示，藉由該第1光學單元41，分歧之複數個光束點係並排於第1直線L1上而照射至基板G上。
第2光學單元42係具有分光器55、繞射光學元件52、及f-sin θ透鏡53。分光器55係將來自透鏡/鏡片機構3之雷射光分歧至第1光學單元41之反射鏡51與下方之繞射光學元件52。繞射光學元件52及f-sin θ透鏡53係與第1光學單元41相同。如第2圖所示，藉由該第2光學單元42，分歧之複數個光束點係並排於第2直線L2上而照射至基板G上。另外，第2直線L2係為與第1直線L1平行之直線。
第3光學單元43係具有分光器55、繞射光學元件52、及f-sin θ透鏡53。分光器55係為與第2光學單元42之分光器相同的構成，將來自透鏡/鏡片機構3之雷射光分歧至第4光學單元44與下方之繞射光學元件52。繞射光學元件52及f-sin θ透鏡53係與第1光學單元41相同。如第2圖所示，藉由該第3光學單元43，分歧之複數個光束點係並排於第1直線L1上而照射至基板G上。
第4光學單元44係具有反射鏡51、繞射光學元件52、及f-sin θ透鏡53。反射鏡51係為與第1光學單元41之反射鏡相同的構成，將來自第3光學單元43的雷射光反射至繞射光學元件52。繞射光學元件52及f-sin θ透鏡53係與第1光學單元41相同。如第2圖所示，藉由該第4光學單元44，分歧之複數個光束點係並排於第2直線L2上而照射至基板G上。
第2圖係為顯示4個光學單元41至44之配置的示意性平面圖。如該第2圖所示，連結藉由第1光學單元41與第3光學單元43而照射至基板G上之多數個光束點之第1直線L1、及連結藉由第2光學單元42與第4光學單元44而照射至基板G上之多數個光束點之第2直線L2，係彼此平行且偏離。換言之，連結鄰接之光學單元的中心之直線，係相對於第1直線L1及第2直線L2傾斜達角度α。
此外，如第2圖所示，4個光學單元41至44係具有相同直徑D且相同厚度之圓筒狀的鏡筒41a、42a、43a、44a。在該鏡筒41a、42a、43a、44a內，係支撐繞射光學元件及f-sin θ透鏡等構件。而且，鄰接之光學單元間的中心間距離C係為皆相同，且設定為與鏡筒41a至44a的直徑D為相同距離，換言之，鄰接的光學單位的中心間距離C(=D)係比沿著第1直線L1及第2直線L2之鄰接的光學單元之中心間距離E更長。
進而，在本實施形態中，藉由各光學單元41至44而形成之複數個光束點B，係以預定之節距P並排於直線上而進行照射。而且，各光學單元41至44的配置，係以距離F與節距P相同的方式來設定；該距離F係形成於彼此鄰接之光學元件之最外側的與另一方之光學單元最接近之位置的光束點B彼此間的沿著第1直線L1及第2直線L2之距離；該節距P係由各光學單元41至44所形成之複數個光束點B之節距。更具體而言，中心間距離E係設定為距離G加上節距P之長度；該中心間距離E係沿著第1直線L1及第2直線L2之鄰接的光學單元之中心間距離；該距離G係藉由1個光學單元所形成之複數個光束點B之位於最外側的2個光束點B間的距離；該節距P係藉由各光學單元所形成之複數個光束點B間之節距。藉由此種配置，從與第1直線L1及第2直線L2垂直之方向來觀察，則藉由光學單元41至44所形成之多數個光束點B的位置係為等間隔。 [XY平台]
XY平台5係為載置基板G之工作台(table)，且可朝彼此正交之X方向及Y方向移動。藉由以預定之速度使該XY平台5朝X方向及Y方向移動，可自由地變更載置於XY平台5之基板G與雷射光之相對位置。通常，係使XY平台5移動，則雷射光會沿著基板G之加工預定線掃描。在本實施形態中，藉由使基板G朝與第1直線L1及第2直線L2垂直的方向移動，則藉由利用光學單元41至44所形成之多數個光束點而加工的線，係成為等間隔。 [動作]
在該雷射加工裝置中，從雷射振盪器2發射之雷射光係藉由準直透鏡3a而成為平行光，並藉由反射片3b而反射至下方。來自反射片3b之雷射光係經由分光器3c而分歧至第2光學單元42與第3光學單元43。射入至第2光學單元42的雷射光，係藉由分光器55而分歧至下方與第1光學單元41。射入至第1光學單元41的雷射光，係藉由反射鏡51而反射至下方。另一方面，射入至第3光學單元43的雷射光，係藉由分光器55而分歧至下方與第4光學單元44。射入至第4光學單元44的雷射光，係藉由反射鏡51而反射至下方。
依以上之方式，射入至各光學單元41至44的繞射光學元件52之雷射光，係分歧為複數道雷射光，且進一步通過f-sin θ透鏡53，在基板G之複數條加工預定線上作為光束點同時進行照射。
依以上之方式，在基板G上有照射多數個光束點之狀態下，只要驅動XY平台5而使基板G朝一方向移動，則光束點會沿著複數條加工預定線掃描而加工。如同前述，藉由使基板G朝與第1直線L1及第2直線L2垂直的方向移動，則藉由利用光學單元41至44所形成之多數個光束點而加工的線，係成為等間隔。
在本實施形態中，複數個光學單元41至44係彼此配置為不同。因此，即使在加工預定線之節距較小的情況，仍可使藉由複數個光學單元41至44所形成之光束點的節距全部相同。
再者，在使基板G朝與第1直線L1及第2直線L2垂直之方向以外的方向移動而進行加工的情況，只要以藉由利用光學單元所形成之多數個光束點B的位置從基板G之移動方向觀察成為等間隔的方式，來調整個光學單元之間隔即可。 [第2實施形態]
第3圖係為本發明第2實施形態之雷射加工裝置的示意圖。於該雷射加工裝置100中，除了與第1實施形態相同的構成外，還在各光學單元41至44之各者設置旋轉用馬達M1及移動用馬達M2。在第3圖中，雖僅顯示第1光學單元41之旋轉用馬達M1及移動用馬達M2，但在各光學單元41至44皆同樣設置有2個馬達M1、M2。
再者，於該第2實施形態之裝置中，顯示4個光學單元41至44的配置之示意性平面圖，係與第2圖完全相同。
旋轉用馬達M1係為用以使各光學單元41至44之繞射光學元件52繞著光軸旋轉之馬達。此外，移動用馬達M2係為用以使各光學單元41至44的鏡筒41a至44a全體朝X方向移動之馬達。藉由設置於各光學單元41至44的2個馬達M1、M2，可使繞射光學元件52個別地旋轉，而且還能使各光學單元41至44個別地移動。 [節距調整]
在該第2實施形態中，係與第1實施形態相同，即使在加工預定線的節距較小的情況，仍可使藉由利用複數個光學單元41至44所形成之光束點的節距全部相同。此外，在第2實施形態之裝置中，可調整光束點的節距。在調整節距時，首先，藉由旋轉用馬達M1將繞射光學元件52例如逆時針旋轉達角度θ。如第4圖所示，旋轉前之節距d1與旋轉後之節距d2之關係，係為d2=d1．cos θ
另一方面，當各光學單元41至44的繞射光學元件52旋轉時，鄰接之光學單元間的光束點之節距會變寬。例如，於第2圖中，第1光學單元41之右端的光束點係藉由逆時針旋轉而朝左方移動，且從與第1直線L1及第2直線L2垂直的方向觀察，係從第2光學元件42離開。相同地，第2光學單元42之左端的光束點係藉由逆時針旋轉而朝右方移動，且從與第1直線L1及第2直線L2垂直的方向觀察，係從第1光學元件41離開。因此，在使各光學單元41至44旋轉後，必須調整鄰接之光學單元間的節距。將用以進行該光學單元間之節距調整的各光學單元41至44之X方向的移動量顯示如下。 〈偶數分歧之情況〉
在雷射光藉由繞射光學元件52而分歧為偶數之雷射光的情況，各光學單元41至44之X方向的移動量係如下所示。再者，於第3圖中，將朝右側之移動設為+方向，反之，則設為-方向。
第2光學單元42：→固定
第1光學單元41：→{(d1-d2)×(分歧數)/2-(d1-d2)/2)×2+(d1-d2)}
第3光學單元43：→-{(d1-d2)×(分歧數)/2-(d1-d2)/2}×2+(d1-d2)}
第4光學單元44：→-{(d1-d2)×(分歧數)/2-(d1-d2)/2}×4+(d1-d2)×2} 〈奇數分歧之情況〉
在雷射光藉由繞射光學元件52而分歧為奇數之雷射光的情況，各光學單元41至44之X方向的移動量係如下所示。
第2光學單元42：→固定
第1光學單元41：→{(d1-d2)×((分歧數)-1)/2}×2+(d1-d2)}
第3光學單元43：→-{(d1-d2)×((分歧數)-1)/2}×2+(d1-d2)}
第4光學單元44：→-{(d1-d2)×((分歧數)-1)/2}×4+(d1-d2)×2} (實施例)
以一例而言，於以下顯示在以26分歧、將節距由d1=1.5mm調整為d2=1.4mm之情況的具體性旋轉量及移動量。
繞射光學元件52之旋轉量：21°
第1光學單元41之移動量係+2.6mm
第3光學單元43之移動量係-2.6mm
第4光學單元44之移動量係-5.2mm
在本實施形態中，使包含繞射光學元件52之各光學單元41至44之繞射光學元件52藉由旋轉用馬達M1旋轉，可精確度良好地調整藉由各光學單元41至44形成在基板G上的複數個光束點之節距。
此外，關於使各光學單元41至44旋轉後的光學單元間之節距，係可藉由移動用馬達M2來調整，就結果而言，可精確度良好且容易地調整藉由複數個光學單元41至44所形成之多數個光束點的節距。
尤其是在複數個光學單元41至44彼此配置為不同之情況，可藉由本裝置而容易地在短時間進行高精確度的節距調整。 [其他的實施形態]
本發明並非為限定於以上之實施形態者，在不脫離本發明之範圍內可進行種種之變形或修正。
(a)在前述各實施形態中，雖已說明在太陽能面板用基板上形成子電池之情況，惟本發明亦可同樣適用於對塗布於太陽能用之基板上的雜質(dopant)層照射雷射光，而將雜質滲入基板中之情況。
(b)在前述第2實施形態中，雖僅使繞射光學元件藉由旋轉用馬達M1旋轉，惟亦可使繞射光學元件及f-sin θ透鏡之雙方旋轉。
(c)前述各實施形態之光學單元的個數或配置係為一例，本發明並非限定於該實施形態者。此外，亦並未限定各光學單元之構成。
1‧‧‧雷射加工裝置
2‧‧‧雷射振盪器
3‧‧‧透鏡/鏡片機構
3a‧‧‧準直透鏡
3b、51‧‧‧反射鏡
3c‧‧‧分光器
5‧‧‧XY平台
41‧‧‧第1光學單元
41a、42a、43a、44a‧‧‧鏡筒
42‧‧‧第2光學單元
43‧‧‧第3光學單元
44‧‧‧第4光學單元
52‧‧‧繞射光學元件
53‧‧‧f-sin θ透鏡
55‧‧‧分光器
100‧‧‧雷射加工裝置
C、E‧‧‧中心間距離
D‧‧‧直徑
F、G‧‧‧距離
G‧‧‧基板
L1‧‧‧第1直線
L2‧‧‧第2直線
M1‧‧‧旋轉用馬達
M2‧‧‧移動用馬達
P‧‧‧節距
α‧‧‧角度
第1圖係為本發明第1實施形態之雷射加工裝置的概略構成圖。
第2圖係為顯示複數個光學單元之配置的概略平面圖。
第3圖係為本發明第2實施形態之雷射加工裝置的概略構成圖。
第4圖係為用以說明節距調整之原理圖。
1‧‧‧雷射加工裝置
2‧‧‧雷射振盪器
3‧‧‧透鏡/鏡片機構
3a‧‧‧準直透鏡
3b、51‧‧‧反射鏡
3c‧‧‧分光器
5‧‧‧XY平台
41‧‧‧第1光學單元
42‧‧‧第2光學單元
43‧‧‧第3光學單元
44‧‧‧第4光學單元
52‧‧‧繞射光學元件
53‧‧‧f-sin θ透鏡
55‧‧‧分光器
G‧‧‧基板

权利要求:
Claims (10)
[1] 一種雷射加工裝置，係沿著基板上之複數條加工預定線照射雷射光，並具備：雷射光射出裝置，係射出雷射光；及第1光學單元和第2光學單元，係分別具有將來自前述雷射光射出裝置的雷射光分歧為複數道雷射光之繞射光學元件、及使來自前述繞射光學元件的複數道雷射光以沿著基板上的1條直線排列的方式進行聚光之透鏡；連結藉由前述第1光學單元而聚光至基板上的複數個光束點之第1直線與連結藉由前述第2光學單元而聚光至基板上的複數個光束點之第2直線係彼此平行且偏離。
[2] 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置，其中，連結前述第1光學單元之透鏡的中心與前述第2光學單元之透鏡的中心之直線，係相對於前述第1及第2直線傾斜。
[3] 如申請專利範圍第1項或第2項所述之雷射加工裝置，其中，前述第1光學單元及前述第2光學單元係具有相同直徑之圓筒狀的鏡筒；前述第1光學單元及前述第2光學單元之中心間距離係為前述鏡筒之直徑以上。
[4] 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置，其中，前述第1光學單元及前述第2光學單元之中心間距離，係比沿著前述第1直線及前述第2直線之前述第1光學單元的中心與前述第2光學單元的中心之間的距離還長。
[5] 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置，其中，前述第1光學單元復具有將來自前述雷射光射出裝置的雷射光分歧之分光器；前述第2光學單元復具有將來自前述分光器的雷射光反射而導向前述第2光學系統之繞射光學元件的反射鏡。
[6] 一種雷射加工裝置，係沿著基板上之複數條加工預定線照射雷射光，並具備：雷射光射出裝置，係射出雷射光；第1光學單元和第2光學單元，係分別具有將來自前述雷射光射出裝置的雷射光分歧為複數道雷射光之繞射光學元件、及使來自前述繞射光學元件的複數道雷射光以沿著基板上的1條直線排列的方式進行聚光之透鏡；第1旋轉驅動機構及第2旋轉驅動機構，係用以使前述第1光學單元之繞射光學元件及前述第2光學單元之繞射光學元件之各者繞著前述雷射光之光軸旋轉；及移動機構，係使前述第1光學單元及前述第2光學單元之至少一方朝與前述加工預定線正交之方向移動。
[7] 如申請專利範圍第6項所述之雷射加工裝置，其中，前述第1光學單元及前述第2光學單元，係以連結藉由前述第1光學單元而聚光至基板上的複數個光束點之第1直線與連結藉由前述第2光學單元而聚光至基板上的複數個光束點之第2直線偏離的方式配置。
[8] 如申請專利範圍第7項所述之雷射加工裝置，其中，連結前述第1光學單元之透鏡的中心與前述第2光學單元之透鏡的中心之直線，係相對於與前述加工預定線正交之直線傾斜。
[9] 如申請專利範圍第7項或第8項所述之雷射加工裝置，其中，前述第1光學單元及前述第2光學單元之中心間距離，係比沿著與前述加工預定線正交之直線的前述第1光學單元的中心與前述第2光學單元的中心之間的距離還長。
[10] 如申請專利範圍第6項所述之雷射加工裝置，其中，前述第1光學單元復具有將來自前述雷射光射出裝置的雷射光分歧之分光器；前述第2光學單元復具有將來自前述分光器的雷射光反射而導向前述第2光學系統之繞射光學元件的反射鏡。

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法律状态:

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申请号 | 申请日 | 专利标题

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